单抛片:单面抛光

Okmetic的单面抛光片(SSP)是表面MEMS、封盖和射频、功率器件的理想衬底。我们拥有自主的长晶技术和多样的硅片材料选择,可为客户定制单抛片解决方案。可提供150mm和200mm硅片产品。

晶体生长技术是Okmetic的关键技术之一,为自主和分包的定制单抛片解决方案奠定了重要基础。我们的目标是为客户提供全面的晶体材料,以满足不同技术需求的晶圆产品。随着万塔工厂的扩建,Okmetic的200毫米单抛片产能将从2025年初开始大幅提升。

各种晶体和硅片材料助力不同技术需求的定制解决方案。

我们的RFSi®高阻片产线包括满足射频滤波器以及氮化镓生长需求的单抛片。功率硅片包括专为功率分立器件氮化镓(GaN)生长需求而定制的单抛片产品。MEMS晶圆生产线包括针对表面MEMS和封盖需求而优化的单抛片。我们为您提供图案化晶圆的选择。许多MEMS器件(譬如压力传感器、加速度计和陀螺仪)通常使用单抛片或双抛片作为其平台,但为了提高成本效益,长期以来SOI晶圆的使用率一直在提高。

单抛(SSP)无与伦比的能力

Okmetic的单抛片(SSP)和客户的工艺受益于我们自主的长晶技术。我们对洁净度和质量有着极高的要求,因此Okmetic的150至200毫米的单面抛光片(SSP)能够兼容最严苛的工艺生产线。此外,我们的SSP硅片具有出色的厚度和平整度。因为某些特种器件或应用设备需要非常薄/厚的单抛片作为硅基衬底,Okmetic还提供非标准厚度的SSP硅片。譬如厚硅片适用于氮化镓(GaN)外延沉淀。

Okmetic有多种150至200毫米的SSP硅片可供选择:硅片掺杂剂包括锑、砷、磷和硼。晶向选择为<100>、<110>、<111>或偏向,厚度范围从400至1150微米,电阻率范围从<0.001至>10000欧姆-厘米。背面处理方式为蚀刻、Polyback或LTO背封层结构。

单抛片规格

长晶方式Cz, MCz, A-MCz®
直径150 mm, 200 mm
晶向<100>, <110>,<111>或偏向
N型掺杂剂锑、砷、磷
P型掺杂剂
电阻率1从<0.001至>10000欧姆-厘米
厚度2200 mm:550-1150微米
150 mm:400-1150微米
TTV3<1微米
背面蚀刻、Polyback 、LTO背封层结构
P型硼掺杂可实现超过1500欧姆-厘米的电阻率。电阻率范围因掺杂剂和晶向而异。工程超高阻硅片,电阻率 >10000欧姆-厘米。
2 在一定限制条件下可实现其他厚度。
3 有厚度限制。
完全兼容CMOS晶圆表面质量和清洁度要求。

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