无台阶型SOI硅片
Okmetic的无台阶型SOI硅片为SOI硅片客户提供了更多的可操作区域、易于加工。无台阶型SOI的特性适用于200 mm的BSOI、 E-SOI®和电源管理SOI硅片，是制造MEMS、射频滤波器和功率器件的最佳硅基衬底。
Okmetic无台阶型SOI硅片的特性适用于200 mm的键合绝缘体上硅BSOI、 E-SOI®和电源管理 SOI 硅片。在现有SOI工艺的基础上，我们优化了无台阶型SOI硅片的制造工艺，将两片硅片键合在一起并在其间形成绝缘氧化层。通常来说，半导体器件或传感元件会被构建在上层的器件层上，下层的衬底层则支撑整个结构。
最大化可用面积、增强后续加工的兼容性
无台阶型SOI硅片为器件制造商提供了最大化的可用面积，使得每片硅片能够生产出更多芯片。标准的SOI台阶（非SOI区）小于2毫米，因此无台阶型SOI硅片大致可以增加4%的可操作区。此外，由于边缘排除区域从4.5毫米减少到3.0毫米，直接导致质量保证区（FQA）大致增加了3%。
无台阶型SOI硅片显著增加了可操作区域和质量保证区
无台阶型SOI硅片边缘被倒角成最佳状态，以增强与后续设备加工的兼容性。譬如无台阶型SOI硅片可以促进硅片夹持和处理，同时也有利于外延生长和光刻工艺，包括抗蚀剂涂层。
常规无台阶型SOI硅片规格
| 晶体生长方式 | Cz, MCz, A-MCz® |
| 硅片直径 | 200 mm |
| 晶向 | <100>, <111>, <110> |
| N 型掺杂剂 | 锑、磷 |
| P 型掺杂剂 | 硼 |
| 电阻率1 | <0.001到 >7000 欧姆-厘米 |
| 器件层厚度2 | 1微米到150微米 公差 ±0.5 微米（标准BSOI）、±0.3微米（0.3 SOI）、±0.1微米（200 mm E-SOI®、电源管理SOI） |
| 埋氧层厚度3 | 0.1微米至5微米 |
| 背面抛光的衬底层厚度4 | 初始厚度为650和725微米 |
| 背面蚀刻的衬底层厚度5 | 550-950微米 |
| 背面 | 可氧化 |
| 台阶区域 | 无台阶型 |
2 器件层越厚，斜面越长。某些器件层和衬底层的厚度组合可能不可行。
3 类型：热氧化物。通常厚度为0.5至2微米，一定限制条件下可实现>5微米的埋氧层厚度。
4 其他厚度需通过可行性研究。
5 某些器件层和衬底层的厚度组合可能不可行。
完全兼容CMOS硅片表面质量和清洁度要求。
