光子学合作：VTT认为Okmetic的E-SOI®硅片是光子学技术的绝佳平台
图片由VTT提供：VTT的光子学技术盒厚为 3μm，背靠Ge层和PD结构的光通信技术
VTT是集研究、开发和创新为一体的合作伙伴，其运营极具前瞻性，同时也是欧洲首屈一指的研究机构之一。该机构开发光子集成电路（PIC）和芯片，为电信、医疗保健、自动驾驶汽车和空间应用提供新的组件和系统。基于专利设计，VTT的PIC能够实现最高的集成密度。自2010年初以来，Okmetic一直保持与VTT的合作，为他们的光子技术开发并优化硅基衬底。
E-SOI®硅片为硅光技术提供出色的波导
因其厚且高度均匀的器件/波导层，VTT选择使用Okmetic的E-SOI®硅片作为其光子技术的衬底，而非具有亚微米器件层的 SOI 硅片。
这主要是因为E-SOI®硅片具有厚且高度均匀的器件层特性，为硅光技术提供了出色的波导。E-SOI®硅片衬底可实现全方位的高性能光学解决方案，具有最低或无偏振灵敏度、出色的波长范围和最高的光功率容差。VTT的PIC使用3μm的器件/波导层厚度，这在光子器件中较普遍。
使用 E-SOI®硅片作为VTT 3微米PIC的衬底的主要优势：
- 单模式操作，波长超过1.2 – 6微米
- 高集成度
- 光损耗极低，低于0.04dB/cm（通过整个 PIC 测量）
- 极化依赖性小或为零
- 耐受高光功率
详细了解VTT的硅光技术。
