E-SOI®硅片：增强型SOI
Okmetic的E-SOI®硅片是一种增强型、高度均匀的绝缘体上硅片，其厚度公差严谨到±0.1微米。其特点主要是拥有更厚的器件层、显著降低器件层厚度变化，E-SOI®硅片可以满足要求更高的MEMS、传感器和功率器件对衬底的要求。它不仅能够提高器件的性能和精度，还可以实现传统技术无法实现的器件设计。
Okmetic的E-SOI®硅片是一种增强型的键合SOI硅片，在下层衬底和上层器件层之间有埋氧（BOX）层，同时上层的器件层通过极高的精度进行减薄以实现一流器件层的厚度均匀性。与其他SOI技术相比，增强型SOI（E-SOI®）硅片的器件层可以做得更厚、更均匀。
E-SOI®硅片一流的器件层厚度均匀性可实现最严苛的器件设计
通常MEMS传感器和IC器件都被构建在硅片的器件层上，而埋氧层（BOX）是出色的电绝缘层，同时也可作为有效的蚀刻停止层。埋氧层也可以作为复杂元件和释放结构的牺牲层。下层的衬底支撑整个结构，但也可用于密封结构或作为传感元件的一部分。
增强型SOI硅片满足苛刻的设备需求
Okmetic的E-SOI®硅片有更厚且厚度均匀的器件层，因此它是硅光子学、硅计时设备、BCD器件和高精度硅基MEMS和传感器等要求苛刻的应用的理想衬底。E-SOI®硅片尤其适用于硅光子学，该领域发展迅速，其应用包括光学收发器、光学传感器和LiDAR系统等设备。E-SOI®硅片被证实为硅光子学设备提供出色的波导。Okmetic还供应电源管理SOI硅片，将E-SOI®的优势与其他优化电源管理硅片的特性相结合。
Okmetic的E-SOI®硅片的特性是前所未有的。增强型SOI的器件层厚度可在1.0微米到>100微米之间进行定制，其厚度公差低至±0.1微米（200 mm硅片）或±0.2微米（150 mm硅片）。此外，埋氧层厚度可在0.5微米以及>5微米之间进行定制。
E-SOI®硅片是硅光子学和计时设备、高压BCD设备和高精度MEMS传感器的理想平台
和其他Okmetic的SOI硅片一样，E-SOI®硅片也可以根据客户的设备和工艺需求进行定制。Okmetic拥有市场上最丰富的硅片产品组合，我们的销售和技术支持很乐意帮助我们的客户定制并选择适用的硅片参数，以满足特殊需求的最佳解决方案。 现在，客户也可选择标准台阶型E-SOI®硅片或无台阶型E-SOI®硅片。
常规SOI硅片的规格
| 晶体生长方式 | Cz, MCz, A-MCz® |
| 硅片直径 | 200 mm, 150 mm |
| 晶向 | <100>, <110>, <111> |
| N型掺杂剂 | 锑、磷 |
| P型掺杂剂 | 硼 |
| 电阻率1 | 从<0.001到>7000 欧姆-厘米* *电阻率范围因掺杂剂和晶向而异 |
| 器件层厚度2* | 1微米到>200微米 容差±0.5微米（标准BSOI）、±0.3微米（0.3 SOI）、±0.1微米（E-SOI®）、±0.5微米或更低（C-SOI®） |
| 埋氧层厚度3 | 0.3微米到4微米，通常在0.5微米到2微米之间 类型：热氧化物 |
| 衬底层厚度4 | 200 mm硅片：300-950微米，通常为725微米 150 mm硅片：300-950微米，通常为380微米 |
| 背面 | 抛光或刻蚀 |
| 台阶区域 | 标准或无台阶型（适用于200 mm的BSOI和E-SOI®硅片） |
2 某些条件下可实现其他厚度。150 mm的E-SOI®硅片的厚度公差为 ±0.2微米。
3 类型：热氧化物。通常为 0.5微米至2微米。某些条件下可实现>5微米的埋氧层。
4 200 mm硅片：衬底层厚度通常为500-725微米，150 mm硅片：衬底层厚度通常为380-675微米。对于要求严苛的器件有±3微米的容差。
*可适用于具有不同厚度的两个器件和埋氧层。
完全兼容CMOS硅片表面质量和清洁度要求
显著降低器件层厚度变化，实现真正的创新
与标准的BSOI硅片相比，E-SOI®硅片的核心优势是器件层厚度的均匀性更高。因此，E-SOI®硅片实现了比传统BSOI技术更先进的器件设计，更不用说和体硅微加工相比了。
E-SOI®硅片的器件层厚度能力
与目标厚度的偏差（微米）
E-SOI®硅片是一种具有多种优势的先进解决方案：
- 与其他技术相比给予设备设计更多自由度
- 改进设备性能和精度
- 缩小设备尺寸和成本
- 提高器件良率
