高阻片
Okmetic的高阻SSP硅片（单抛）和DSP硅片（双抛）结合了低氧含量、非常高且稳定的电阻率，可提高电气性能并降低射频滤波器和设备的插入损耗。
Okmetic的高阻片采用先进的磁性直拉（A-MCz®）长晶方式制造，其特点包括低氧含量和高达7000欧姆-厘米的电阻率。高阻片提供非常高且稳定的电阻率、良好的电气性能以及降低的插入损耗。
极高且稳定的电阻率、良好的电气性能、降低的插入损耗
Okmetic的高阻片可以很好地满足许多BAW/SAW滤波器、IPD、硅中介层和RFIC应用类型的需求。富陷阱结构的Okmetic工程高阻片或工程超高阻片能够帮助射频滤波器制造商达成更高的性能和更低的损耗。
高阻片的优势：
- 高且稳定的电阻率
- 良好的电气性能
- 减少插入损耗
- 降低弯曲应力，是一种机械强度更高的硅片
定制参数的高阻片
Okmetic的高阻片经过优化，采用A-MCz®的长晶方式，具有低氧含量和高达7000 欧姆-厘米的电阻率。除了电阻率之外，我们还可以调整硅片其他的参数。高阻片尺寸包括6英寸和8英寸，产品包括掺硼或磷的单抛片（SSP）和双抛片（DSP）。晶向选择有<100>和<111>，厚度范围从380微米到>1150微米。薄的高阻片可在硅中介层的晶圆级封装中实现更经济的器件集成，还可以将TSV（硅通孔）包含在内，以进一步增强垂直封装选项。
高阻片的规格
| 晶体生长方式 | MCz, A-MCz® |
| 直径 | 200 mm, 150 mm |
| 晶向 | <100>, <111> |
| N型掺杂剂 | 磷 |
| P型掺杂剂 | 硼 |
| 电阻率 | 高达>7000 欧姆-厘米* *电阻率范围因掺杂剂和晶向而异 |
| 氧含量 | 一般≤5ppma或≤10ppma（ASTM F121-83），可根据客户工艺进行优化 |
| SSP（背面蚀刻）硅片厚度 | 150 mm：400至1150微米；200 mm：550微米到 1150微米* *某些条件下可实现其他厚度 |
| DSP（抛光背面）硅片厚度 | 150 mm：380至 >1150微米；200 mm：380微米到 >1150微米* *某些条件下可实现其他厚度 |
用更稳健、更具成本效益的解决方案替代区熔（FZ）衬底
Okmetic的高阻RFSi®硅片采用先进的磁性直拉（A-MCz®）法制造。它们能够很好地替代使用区熔（FZ）法制造的高阻片。更低的采购价格、更高的产量和供应、更好的性能、更优化的集成以及更低的处理成本共同实现了这种硅片更低的使用成本。高阻MCz硅片的机械强度更高、不易受到热应力的影响，从而减少了错位、翘曲、断裂以及相关硅片制造和组装过程中的良率损失。
