富陷阱结构的工程高阻片

Okmetic的工程高阻片采用先进的磁性直拉（A-MCz®）法进行长晶，并结合了低氧含量以及高达7000欧姆-厘米的电阻率和富陷阱结构等特性。这种尖端的硅片制造技术专为满足射频滤波器和设备的需求而量身定制，可降低射频损耗并在整个频率范围内提供稳定的“有效电阻率”，从而获得更高的Q值。工程高阻片也有助于提高随温度变化的线性度，最大限度地减少模块间和二次谐波的失真效应，并降低特征应力和弯曲度。如果您正在寻找能满足相关需求的硅基衬底，我们推荐您使用工程超高阻片来降低射频器件带来的感应损耗。

主要使用领域中的BAW滤波器和IPD设备

工程高阻片被广泛用于体声波（BAW）滤波器和集成无源器件（IPD）的应用，其专有的富陷阱结构可实现高效的电阻率、极低的插入损耗、出色的二次谐波值以及出色的线性度。其他应用领域包括集成RFIC应用和硅中介层，这两者都受益于定制高阻片提供的非常高且稳定的电阻率和卓越的电气性能。

经过优化的卓越性能和更低的使用成本：

• 在IPD和BAW滤波器制造中观察到的优异结果；
• 带有5欧姆-厘米电阻率和富陷阱层结构的工程高阻片可达到非常低的H2水平，甚至低于-85dBm；
• 工程高阻片能够出色地抑制IMD3（三阶互调失真）；
• 可为客户定制富陷阱层，以满足特定客户的工艺需求，最大限度地控制谐波形态和整体损失；
• 无需植入复杂的结构，即对其供应链无影响。设计的富陷阱层是纯硅基的，因此不涉及其他外来的材料，能够完美贴合客户生产线的需求。

工程高阻片的定制化解决方案

Okmetic的工程高阻片经过优化，采用先进的磁性直拉（A-MCz®）法进行长晶，具有低氧含量、高达7000欧姆-厘米的电阻率和工程富陷阱层，可进一步减少射频损耗。Okmetic注册了A-MCz®的晶体生长方式，而这些极高的电阻率就是通过此法实现的。除了电阻率之外，我们还可以调整其他的硅片参数。工程高阻片包括200 mm和150 mm、掺硼或磷的单抛片（SSP）和双抛片（DSP）。晶向选择有<100>和<111>，厚度范围从380微米到>1150微米。  

工程高阻片的规格