RFSi®硅片：射频滤波器的高阻片
Okmetic的RFSi®高阻片是制造射频滤波器和设备的最佳硅基衬底。我们的RFSi®高阻片提高了射频设备的性能和使用成本，并实现更复杂的设计。
Okmetic是射频滤波器市场上先进的硅基衬底供应商，多年来公司一直专注于射频滤波器硅晶圆的解决方案。Okmetic已为射频滤波器市场交付了超过200万片硅晶圆，2021年相比2020年实现了交付量的翻翻。Okmetic的RFSi®高阻片是体声波（BAW）滤波器、薄膜声表面波（TF-SAW）滤波器、IPD设备、功率放大器、RFIC应用和硅中介层等的最佳硅基衬底。这些滤波器和设备用于智能手机和通信设备，可实现5G和4G技术中更快的数据传输速度和更大的容量。
RFSi®高阻片是射频滤波器和设备的最佳硅基衬底，实现了智能手机和通信设备中更快的数据传输速度
Okmetic的RFSi®高阻片产品组合提供了一系列特种硅片，将高达10000欧姆-厘米的体电阻率和先进的表面工程相结合。此类硅片的长晶方式是A-MCz®（Okmetic已注册该商标），其制备方法包括富陷阱层和先进的平面化技术。Okmetic的RFSi®高阻片拥有非常高且稳定的电阻率，可实现射频滤波器和设备的卓越性能、更低廉的使用成本以及更复杂的设备设计。
RFSi®高阻片产品组合
Okmetic拥有丰富的RFSi®高阻片产品组合，由体电阻率高达10000欧姆-里面以上的特种硅片组成。我们的硅片产品可以根据产品和封装需求为您定制所需的电阻率、晶向、含氧量以及厚度等。Okmetic为客户提供从380到1150微米的各种硅片厚度。我们的射频滤波器客户发现轻薄的硅片易于封装设计；而在像氮化镓外延层这类混合金属晶格中，较厚的硅片能更好地消减极端应力。我们的销售和技术支持将很乐意为您服务，为您定制符合需求的最佳解决方案。
Okmetic的RFSi®高阻片包含以下产品：
常规RFSi®硅片的规格：
| 晶体生长方式 | MCz, A-MCz® |
| 硅片直径 | 200 mm, 150 mm |
| 晶向 | <100>, <111> |
| N型掺杂剂 | 磷 |
| P型掺杂剂 | 硼 |
| 电阻率 | 高达 >10000 欧姆-厘米* *电阻率范围因掺杂剂和晶向而异 |
| 氧含量 | 一般≤5ppma或≤10ppma（ASTM F121-83），可根据客户工艺进行优化 |
| 单抛片（背面蚀刻）厚度 | 150 mm硅片：400至1150微米；200 mm硅片：550微米到 >1150微米* *某些条件下可实现其他厚度 |
| 双抛片（抛光背面）厚度 | 150 mm硅片：380至 >1150微米；200 mm硅片：380微米到 >1150微米* *某些条件下可实现其他厚度 |
RFSi®硅片的优点
- 插入损耗小且可被记录；
- 高Q值；
- 二次谐波特性随工作温度变化呈线性变化；
- 使用超平高阻硅片（UF-RFSi®）的薄膜声表面波滤波器（TF-SAW）可拥有更多新颖的设计选择；
- 采用高阻片特性结合到腔体SOI硅片，实现悬空的低损耗结构。
A-MCz®晶体生长方式对比区熔法
- 区熔法制备的单晶硅电阻率很高，A-MCz®晶体生长方式相对更具成本优势，特别是制备200 mm的单晶硅棒；
- 晶向可使用 <111>；
- 优化了氧含量范围以增加客户工艺中的硅片强度，不易滑落或破损；
- 通过构建富陷阱层，Okmetic的工程A-MCz®硅片能够更好地满足客户的特定工艺/产品。
