功率器件用硅片系列
Okmetic的功率硅片产品是各种功率器件制造的最佳衬底。专为功率器件优化的硅基衬底解决方案能够有效提高功率器件的性能、降低使用成本并实现更精密的设计。
数十年来，Okmetic一直为功率器件供应硅片产品。自1990年以来，我们的产品组合中就一直有针对功率分立器件的硅片，并于2010年首次推出功率氮化镓（GaN）衬底硅片和电源管理SOI硅片。在与客户的合作中，我们不间断地开发功率硅片产品的性能。Okmetic的功率硅片有利于不同功率器件的制造，譬如可再生能源、电动汽车、便携式消费产品以及与电源管理和效率提高相关的解决方案。
经过优化的Okmetic功率硅片主要采用我们标志性的先进磁拉（A-MCz®）晶体生长方法制造，搭配上丰富的硅片参数选择，可以确保为客户提供定制化的高附加值硅片解决方案，同时降低功率损耗。
功率器件用硅片产线升级
Okmetic供应功率硅片系列的特种晶圆，其电阻率范围为<0.001至>1500欧姆-厘米。不同的晶圆类型包括150至200毫米的单抛片、双抛片和SOI硅片。根据您的设备或工艺的需求，我们可以为您定制硅片的电阻率、晶向、氧含量、COP水平和硅片厚度。Okmetic提供380至1150微米的多种晶圆厚度。在氮化镓外延层等混合金属晶格中，较厚的晶圆可以承载外延工艺的极端应力。我们的销售和技术支持人员将很乐意帮助您找到符合您需求的最佳解决方案。
Okmetic的功率器件用硅片系列包括：
先进磁拉法（A-MCz®）和区熔法（FZ）比较
1. 200毫米硅片的可用性比区熔硅片更好
2. <111>晶向选择
3. 优化氧含量范围，提高客户工艺中的硅片强度，不易打滑或破损
4. 低COP的特性为区熔法硅片提供经济高效的选择
功率半导体用的单抛片和双抛片的常用规格
| 长晶方式 | Cz, MCz, A-MCz® |
| 直径 | 200mm, 150mm |
| 晶向 | <100>, <110>, <111> |
| N型掺杂剂 | 锑、砷、磷、红磷 |
| P型掺杂剂 | 硼 |
| 电阻率1 | <0.001至>1500欧姆-厘米 |
| 电阻率容差 | 根据价格目标和电阻率范围确定 |
| 径向电阻率梯度 (RRG)2 | 通常低于8% |
| 氧浓度 (Oi)3 | <4至20 ppma |
| 径向氧梯度 (ROG)4 | 通常低于10% |
| 碳浓度5 | <0.5 ppma |
| 单抛片厚度6 | 200毫米：550至1150微米； 150毫米：400至1150微米 |
| 双抛片厚度6 | 200毫米：380至1150微米； 150毫米：380至>1150 微米 |
| 单抛片背面处理 | 蚀刻、Polyback、LTO |
| COP含量7 | 标准或低COP（取决于硅片大小和电阻率） |
2SEMI MF84，取决于电阻率目标和边缘排除
3ASTM F121-831/SEMI MF1188-1107
4SEMI MF951, 低氧浓度：ROG >20%
5ASTM F123-91，受测量技术限制
6在一定限制条件下可实现其他厚度
7 某些条件下提供200mm硅片
完全兼容CMOS晶圆表面质量和清洁度要求
功率半导体SOI硅片的常用规格
| 长晶方式 | Cz, MCz, A-MCz® |
| 直径 | 200mm, 150mm |
| 晶向 | <100>, <111> |
| N型掺杂剂 | 磷、红磷、锑、砷 |
| P型掺杂剂 | 硼 |
| 电阻率1 | <0.001至>1500欧姆-厘米 |
| 电阻率容差 | 根据价格目标和电阻率范围确定 |
| 氧浓度 (Oi)2 | <4至13 ppma |
| 器件层厚度3 | 1微米到>200微米（±0.1微米） |
| 埋氧层厚度4 | 0.3微米至>5微米 |
| 衬底层厚度5 | 300微米至950微米（±3-5微米） |
| 背面 | 抛光、蚀刻、有/无氧化 |
| COP含量6 | 标准或低COP（取决于硅片大小和电阻率） 提供有退火工艺、零COP的SOI硅片 |
| 台阶面积 | 标准或无台阶（适用于200毫米硅片） |
2 ASTM F121-831/SEMI MF1188-1107
3 在一定限制条件下可实现其他厚度。150mm硅片厚度容差为±0.2微米。
4 类型：热氧化物。通常厚度为0.5至2微米，一定限制条件下可实现>5微米的埋氧层厚度。
5 200mm硅片：通常为725微米，150mm硅片：通常为675微米，对于要求严苛的器件有±3微米的容差
6 某些条件下提供200mm硅片
完全兼容CMOS晶圆表面质量和清洁度要求
