MEMS单抛片和双抛片

Okmetic的单面抛光片和双面抛光片针对MEMS器件经过优化,是表面微加工和封盖的完美平台。我们自主的长晶工艺和丰富的硅片参数选择确保了定制化单抛片解决方案的生产。Okmetic为客户提供150mm和200mm尺寸、带图案或不带图案的MEMS单抛片和双抛片。

 

Okmetic为MEMS优化的单抛片和双抛片可用于兼容CMOS的大批量生产。晶圆的参数是完全可定制化的,能够满足设备制造商的工艺需求,从而实现具有稳定质量和高效加工的高精度传感元件。Okmetic同时具备内置光刻的自主技术。详细了解我们的高品质图案化晶圆,为您实现精简化的器件制造。

MEMS的单抛片和双抛片非常适合表面MEMS、封盖和体微加工。它们也可以作为键合MEMS结构的一部分。

MEMS的单抛片和双抛片非常适合表面MEMS、封盖和体微加工。它们也可以作为键合MEMS结构的一部分。单抛片通常用于压力传感器、加速度计、微流体设备和微镜等应用。双抛片更常用于诸如先进的惯性传感器(陀螺仪、高性能加速度计)、谐振器和光学MEMS等应用。此外,采用TSV(硅通孔)进行电气连接的MEMS器件也经常使用双抛片来实现通孔的精确蚀刻和填充。详细了解我们的TSV硅片

欢迎了解我们的键合SOI硅片解决方案,协助您实现尖端的器件设计并提高成本效益。

单抛片兼容于要求严苛的工艺产线

Okmetic的自主长晶和切片工艺为单抛片提供了无与伦比的能力,确保了其兼容于要求严苛的工艺产线。这些单抛片满足严格的清洁度和质量标准,具有出色的厚度和平整度能力,同时其SFQR值≤0.2微米。

双抛片具有出色的厚度均匀性和晶向精度

Okmetic的双面抛光片(DSP)具有出色的厚度均匀性、晶向精度以及晶体质量,是MEMS器件的理想平台。Okmetic的双抛片以其卓越的品质而闻名,非常适合需要双面光刻、晶圆键合或两个表面上精准对齐标记/结构的MEMS器件制造。Okmetic的双抛片广泛应用于MEMS器件和设备的封盖片,与熔融、阳极、共晶和玻璃熔块键合技术一起使用时可提供出色的键合强度和密封性。

Okmetic的双抛片确保了高精度、稳定的品质和高效的工艺。

我们的双抛片针对体微加工和碱性蚀刻(譬如KOH、TMAH)进行了优化,可确保高精度、稳定的质量和高效的工艺。此外,我们的薄型双抛片可加快加工速度,具有成本和品质优势。我们为客户提供丰富的晶圆参数选择,实现高度定制化的硅基解决方案,确保在关键的MEMS制造过程中的精确对准和最小失真。

丰富的单抛片和双抛片参数选择

针对MEMS器件经过优化的产品组合丰富,Okmetic为客户提供150mm和200mm尺寸的单抛片和双抛片。晶圆掺杂剂包括锑、砷、磷和硼。晶向选择包括<100>、<110>、<111>或偏向,厚度范围为380微米至1150微米。产品具有出色地厚度均匀性和平坦度。MEMS单抛片和双抛片的电阻率范围为<0.001 至 >7000欧姆-厘米。背面精加工包括蚀刻、多晶硅背板或LTO。得益于Okmetic的自主图案化技术,双抛片还可以具有背面对准标记。硅片的边缘形状可以根据客户的工艺要求进行优化。  

MEMS单抛片和双抛片的通用规格

晶体生长方式Cz, MCz, A-MCz®
直径200 mm, 150 mm
晶向<100>, <110>, <111>, 偏向
N型掺杂剂锑、砷、磷、红磷
P型掺杂剂
电阻率1从 <0.001到 >7000欧姆-厘米
单抛片厚度2200 mm:550至1150微米
150 mm:400至1150微米
单抛片TTV3<1微米
背面处理单抛片:刻蚀、Polyback、LTO
双抛片:背面对准标记
双抛片厚度2200 mm:380至1150微米
150 mm:380至>1150微米
双抛片厚度容差4(±5微米) 
双抛片TTV3≤0.7微米
双抛片晶向精度5±0.2° 
SFQR≤0.2微米
边缘200 mm:抛光3、刻蚀
150 mm:刻蚀
P型硼掺杂可实现超过1500欧姆-厘米的电阻率。电阻率范围因掺杂剂和晶向而异。工程超高阻硅片,电阻率 >10000欧姆-厘米。
2 在一定限制条件下可实现其他厚度。
3 有厚度限制。
对于要求严苛的器件有±3微米的容差。 
对于要求严苛的器件有±0.15°的容差。
完全兼容CMOS晶圆表面质量和清洁度要求。 

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