MEMS硅片系列
Okmetic的MEMS硅片系列是制造各种MEMS器件和设备的最佳平台。我们为MEMS和传感器件优化的硅片解决方案能够提高器件的性能、降低总体拥有成本、实现更复杂的器件设计。
Okmetic是MEMS和传感器市场领先的先进硅晶圆供应商，公司自成立以来一直致力于为MEMS行业提供定制化的硅基解决方案。我们为客户提供多样化的硅晶圆产品，为MEMS优化的硅片是制造各种MEMS器件和设备的最佳平台。
图案化或不带图案的单抛片和双抛片通常用作粘合MEMS结构的一部分或作为封盖硅片。不过由于它们的成本效益较高，绝缘体上硅片（SOI）的使用面一直在增加。使用BSOI或C-SOI®硅片（腔体型SOI）可以让芯片尺寸减少至原有大小的三分之一。C-SOI®硅片还能够减少客户端的加工步骤，从而降低总拥有成本。
Okmetic是MEMS和传感器市场领先的先进硅晶圆供应商，致力于为客户提供定制化的硅基解决方案。
Okmetic的SOI硅片的制造方式是将两片硅片粘合在一起，并在其间制造一个绝缘氧化层。上层的器件层通常用于传感元件，而埋氧层则用作电绝缘体、蚀刻停止层或牺牲层。下层的衬底层支撑起整个结构，还可以帮助密封或作为传感元件的一部分。
MEMS硅片全系列
Okmetic为客户提供完整的6英寸和8英寸MEMS硅片产品组合。根据您的产品和封装需求，我们能够为您定制各类参数，包括电阻率、晶向、氧含量、厚度、可能的氧化层和晶圆边缘等。我们的销售和技术支持将很乐意帮助您找到为您的需求量身定制的最佳解决方案。
Okmetic的MEMS硅片系列包含以下产品：
详细了解如何为您的MEMS器件选择理想的硅片产品，既能平衡成本、性能，又能提高制造的效率。
MEMS器件的单抛片和双抛片通用规格
| 晶体生长方式 | Cz, MCz, A-MCz® |
| 直径 | 200 mm, 150 mm |
| 晶向 | <100>, <110>, <111>, 偏向 |
| N型掺杂剂 | 锑、砷、磷、红磷 |
| P型掺杂剂 | 硼 |
| 电阻率1 | 从 <0.001到 >7000欧姆-厘米 |
| 单抛片厚度2 | 200 mm：550至1150微米 150 mm:：400至1150微米 |
| 单抛片TTV3 | <1微米 |
| 背面处理 | 单抛片：刻蚀、Polyback、LTO 双抛片：背面对准标记 |
| 双抛片厚度2 | 200 mm：380至1150微米 150 mm：380至>1150微米 |
| 双抛片厚度容差4 | (±5微米) |
| 双抛片TTV3 | ≤0.7微米 |
| 双抛片晶向精度5 | ±0.2° |
| SFQR | ≤0.2微米 |
| 边缘 | 200 mm：抛光3、刻蚀 150 mm：刻蚀 |
2 在一定限制条件下可实现其他厚度。
3 有厚度限制。
4 对于要求严苛的器件有±3微米的容差。
5 对于要求严苛的器件有±0.15°的容差。
完全兼容CMOS晶圆表面质量和清洁度要求。
SOI的通用规格
| 晶体生长方式 | Cz, MCz, A-MCz® |
| 直径 | 200 mm, 150 mm |
| 晶向 | <100>, <110>,<111> |
| N型掺杂剂 | 锑、磷 |
| P型掺杂剂 | 硼 |
| 电阻率1 | 从 <0.001到 >7000欧姆-厘米 |
| 器件层厚度2 | 从1微米到 >200微米 容差±0.5微米（标准BSOI）、±0.3微米（0.3 SOI）、±0.1微米（E-SOI®）、±0.5微米或更低（C-SOI®） |
| 埋氧层厚度3* | 从0.3微米至 >5微米，通常在 0.5微米和 2微米之间 类型：热氧化物 |
| 衬底层厚度 | 300微米至950微米（±3-5微米） |
| 背面 | 抛光或刻蚀 |
| 台阶区域 | 标准或无台阶型（适用于200mm的BSOI、E-SOI®和电源管理SOI） |
2 在一定限制条件下可实现其他厚度。150 mm的E-SOI®硅片的器件层容差为±0.2微米。
3 类型：热氧化物。通常埋氧层厚度为0.5-2微米，在某些条件下可实现 >5微米的埋氧层厚度。
4 200 mm：通常500-725微米；150 mm：通常380-675微米。对于要求严苛的器件有±3微米的容差。C-SOI®硅片的衬底层厚度范围较窄。
*可适用于具有不同厚度的两个器件和埋氧层。.
完全兼容CMOS硅片表面质量和清洁度要求。
