射频滤波器和设备

硅片对设备性能、使用成本和上市时间都有很大影响。这就是为什么设备制造商格外关注衬底的原因，同时人们对设备和衬底的工艺优化需求也在不断增加。

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为设备和工艺需求寻到最佳的硅基衬底并不容易。为了方便搜索，我们在下方为您简要地划分了射频滤波器和设备列表，并给出了对应的硅基衬底选项。我们的销售和技术支持很乐意帮助您找到适合您设备和工艺需求的完美硅基解决方案。

体声波（BAW）滤波器

高电阻率硅片的氧浓度兼具稳定且低水平的特性，是降低插入损耗的完美衬底。将其与由工程高电阻率硅片实现的专有寄生抑制层配对，可以提供最高的有效电阻率、创记录的低插入损耗、出色的二次谐波值以及很好的温度线性度。这种硅片特性还可以与悬空 C-SOI®结构相结合，用于射波滤波器行业中最新的谐振器类型结构。详细了解我们的高电阻率键合 SOI 硅片。

薄膜声表面波（TF-SAW）滤波器

最新型的高性能薄膜声表面波滤波器的关键是具有超平坦特性的低损耗工程高阻硅片。在硅片上层精准构建经济的薄膜，得益于硅片表面对称且平坦的特性。硅片顶部的定制交钥匙寄生层有助于优化滤波器的损耗和线性特性。详细了解我们的 UF-RFSi®硅片。

IPD设备

高电阻率硅片的氧浓度兼具稳定且低水平的特性，是降低插入损耗的完美衬底。将其与由工程高阻片实现的专有寄生抑制层配对，可以提供最高的有效电阻率、创记录的低插入损耗、出色的二次谐波值以及很好的温度线性度。这种硅片特性还可以与悬空 C-SOI®结构相结合，用于射频滤波器行业中最新的谐振器类型结构。详细了解我们的高电阻率 BSOI 硅片。

功率放大器

氮化镓射频硅片的两大特性是使用了111晶向、优化了氧浓度，有助于应对客户硅上氮化镓工艺中的应力。这些体硅片的高电阻率特性使插入损耗保持在较低的水平。出色的偏向控制可成功实现精准的氮化镓外延层。

高阻键合 SOI 硅片也可用作先进的硅基氮化镓的基板。SOI 结构与深沟槽隔离结构相结合，可将功率器件、驱动器和逻辑单片集成到同一芯片上。绝缘氧化物消除了有害的背栅效应，从而降低了开关的噪声。这种衬底上的高频作业使快速开关器件的管芯尺寸变得更小。使用键合 SOI 硅片作为衬底是缩减芯片架构的绝佳方法。