Okmetic参与Position II项目开发下一代智能导管和植入物

2018至2021年间，Okmetic参与了欧盟Position II项目，该项目由12个国家/地区的43个合作伙伴组成。该项目的目标是引入用于小型化、尖端AD转换、无线通信、MEMS换能器技术和封装的开放技术平台，开发下一代智能导管和植入物。这些平台可用于多个用户和多种应用程序。 

MEMS技术用于医疗行业，但与汽车或消费电子等行业相比，其硅片需求量较小，这是实际生产中的一大挑战。在Position II项目中，MEMS器件是与飞利浦研究Foundry合作生产的，能够为需要更小硅片量的公司提供原型制作的机会。这个项目中的SOI和C-SOI®硅片均由Okmetic提供。 

Okmetic的研发工作主要集中在低电阻晶体和SOI硅片

Okmetic在这个项目中的研发主要集中在低电阻晶体、SOI硅片以及自主图案化硅片产线的产能提升上。Okmetic成功地协助该项目完成了所有既定目标。

“我们的长晶研发团队能够为低阻晶体开发高产的工艺（低于1欧姆-厘米、低含氧量）。在单个晶锭中测得的电阻率低至0.8欧姆-厘米或更低。该项目的另一个目标是制造具低阻器件层的SOI硅片。这也是一项成功”，产品开发工程师Katja Parkkinen说道。

与标准掺杂硅相比，重掺硅具有更小的温度依赖性。因此，在低阻SOI硅片上制造的器件在较高温度下需要较少的温度校正。这种现象在计时设备中尤其有用，但也可用于其他设备。此外，在功率MOSFET中，较高的掺杂水平可最大限度地降低设备的功耗，从而延长笔记本电脑或智能手机等便携式设备的电池寿命。

该项目的另一部分是在2019年初助力Okmetic自主图案化生产线的升级。根据测量，与外部生产线的C-SOI®硅片相比，Okmetic的C-SOI®硅片具有更小的颗粒水平。同时，与外部生产流水线相比，我们C-SOI®硅片的交付时间也显著缩短。

此外，Okmetic与飞利浦研究Foundry合作开发并生产了一种C-SOI®硅片，其空腔位于掩埋层，而非下层的硅片。飞利浦研究Foundry进一步加工了硅片，使其成为DBS（深脑模拟）演示器。  

“该项目对氧化物图案化及其在熔接以及ASML对准标记中的行为模式提供了更多参考。基于这些信息，我们对工艺流程进行了深化，这也对我们的客户更加有利”，Katja Parkkinen说道。

关于该项目的详情及其成果，请见项目主页：Position II或研究论文（Okmetic的Katja Parkkinen女士为该文的合作作者）。