Okmetic积极参加射频主题研发项目联盟
通过优化硅片材料可以有效减少射频设备中由衬底引发的损耗
Okmetic积极参与了Beetles项目，该项目是由芬兰国家技术研究中心VTT协调并由芬兰商业委员会Business Finland赞助的芬兰项目联盟。在这个项目中，Okmetic正在开发低损耗高电阻的硅基衬底，以满足先进射频滤波器和其他射频设备不断发展的需求。
整个项目联盟由多家企业和科研机构组成，譬如芬兰国家技术研究中心VTT、芬兰村田制作所（Murata Electronics Oy）、全球领先的ALD设备生产商Beneq、芬兰纳米材料开发公司Emberion、芬兰半导体公司CoreHW和芬兰图尔库大学等。项目旨在发展多维建模的不同技术平台以实现创新的射频设备。该项目的进展为开发新型封装解决方案（譬如未来的谐振传感器）奠定了基础。
通过这个项目，Okmetic持续研发RFSi®硅片。目前Beetles项目已成功促进了超过10000欧姆-厘米的高阻硅片开发，其特点是衬底引发的损耗接近于零。
Okmetic通过产品发布和研发成果收益良多
5G和6G技术的发展在损耗和信号集成方面对射频设备提出了更严格的要求，人们开始期待硅片能够拥有新的特性以及更好的性能。
在这个项目中，Okmetic开发并推出了工程超高阻片，将超过10000欧姆-厘米的电阻率和高效的富陷阱层相结合，减轻了寄生表面传导效应。这种经过优化的硅片材料可以非常有效地抑制衬底引发的损耗，从而使射频滤波器达到更高的线性度以及更低水平的谐波和互调失真。
图1：通过优化硅片材料，可以非常有效地减轻射频设备中由衬底引起的非线性效应。
2021年与该项目同时进行的另一个项目是，Okmetic与Incize建立了卓有成效的合作伙伴关系。Incize是一家尤其专注于射频硅片表征的比利时半导体公司。通过Incize的服务，Okmetic能够就不同硅片对射频线性度和性能的影响为客户提供详实可靠的数据。
在Beetles项目中通过和VTT以及图尔库大学的合作，我们得到了针对我们自己的高阻RFSi®硅片的宝贵反馈。VTT在Okmetic低损耗硅片上开发并制造了IPD（集成无源器件）；图尔库大学为原子结构的多晶硅（富陷阱）层生长和层的电磁特性开发了相应的模拟方法。
图2：图尔库大学通过模拟方法研究单晶硅片上的多晶硅生长。这有助于我们从更复杂的物理角度理解观察到的现象。
积极参与研发项目有助于我们开发高阻低损耗的硅片，满足客户对未来的需求
Okmetic已经在射频硅片市场占有重要份额。我们丰富的高阻RFSi®硅片产品组合为制造射频滤波器和设备提供了最佳衬底。工程超高阻片、工程高阻片和UF-RFSi®硅片等硅基衬底解决方案可以提高射频设备的性能、使用成本并实现更高难度的设计。
Beetles项目与Okmetic持续研发RFSi®硅片的目的相一致，促进了先进高附加值硅片的创新，以满足我们客户不断变化的需求。通过积极参与多项研发计划，我们对行业趋势和不断变化的市场需求有了全面的了解。
Okmetic的RFSi®硅片产品组合包括以下产品：
