Okmetic Inc.总裁Reed先生在CMC大会上发表关于硅上氮化镓和SOI上氮化镓衬底的演讲

Okmetic目前正在参加于美国德克萨斯州奥斯汀举办的关键材料委员会（CMC）大会。昨天，Okmetic的大客户开发副总裁兼分公司总裁Jim Reed先生发表了题为“利用优化衬底推进氮化镓技术：应对功率和射频应用中的挑战”的演讲。

Reed先生的演讲重点介绍了如何通过整体晶圆优化来解决硅基氮化镓（GaN-on-Si）的关键挑战，包括晶格失配、热失配、晶圆弯曲以及氮化镓层质量等因素对器件可靠性和制造可扩展性至关重要。Okmetic的功率氮化镓硅衬底在支持功率器件的高功率方面的能力被重点讨论，SOI上氮化镓衬底被认为是一种极具前景的单片集成平台，能够为更紧凑、更高效的器件架构提供了潜力。

在射频应用方面，Reed先生的演讲强调了射频氮化镓衬底能够如何降低插入损耗并提高信号的完整性，从而支持5G、6G和卫星通信等高频系统的性能需求。

详细了解Okmetic的功率氮化镓硅衬底和SOI衬底，以及我们最近与校际微电子中心（IMEC）合作的成果，这些成果突出了SOI硅片在氮化镓生长方面的潜力。

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