Okmetic推出工程超高阻片扩展其RFSi®产品系列

最新的硅片技术将超过10000Ohm-cm的电阻率与高效的富陷阱层相结合，使射频滤波器和设备的衬底引起的损耗和非线性接近于零。

2022 年 9 月 14 日，芬兰万塔市 – 用于制造MEMS、传感器、射频滤波器和功率器件的先进硅片供应商Okmetic今天宣布发布工程超高阻片，这是一种专用于要求苛刻的射频滤波器和设备的优质硅基衬底。这种高度先进的硅片技术利用Okmetic专有的A-MCz®晶体生长工艺，其衬底引起的损耗接近于零，且能够为射频设备提供非线性的最高电阻率和最佳技术性能。此外，Okmetic超高阻硅片的氧含量得到了优化，提高了硅片的强度，使其成为超高阻FZ硅片的可行选择。

Okmetic的工程超高阻片是一种接近零损耗的硅片，专用于射频滤波器设备。其特性包括超过10000Ohm-cm的电阻率、低氧含量且高效、纯硅基、富陷阱结构等。

工程超高阻片是对Okmetic广受欢迎的高阻RFSi®硅片产品系列的扩展。Okmetic已向领先的射频制造商交付了超过200万片高阻RFSi®硅片，并迅速在市场上占据了重要份额。预计对工程高阻片解决方案的需求将持续强劲，而这一新硅片产品的推出将满足射频设备制造商对高端基板的需求。

“Okmetic非常自豪地推出新的工程超高阻片，该硅片拥有超过10,000欧姆-厘米的体电阻率、低氧含量和高效的富陷阱层。这是一种优质的硅基衬底，可实现最高性能和稳定的电阻率，其衬底引起的损耗接近于零，且能够为射频设备提供非线性的电阻率和技术性能”，Okmetic首席技术官Atte Haapalinna说。“我们很高兴能够响应我们的射频设备客户的最苛刻的衬底需求。工程超高阻片是长期研发的成果，也充分展示了Okmetic在长晶及其掺杂工艺方面的卓越能力。”

工程超高阻片使射频滤波器能够达到在900MHz基音下测量的低于-90dBm的极低二次谐波水平，甚至低于-105dBm的极低IMD3水平。点击这里详细了解更多相关技术参数。

产品供应

工程超高阻片的直径为200毫米，最初批量提供<100>晶向的产品。<111>晶向的200毫米工程超高阻片已准备好进行样品制作。硅片产品包括 UF-RFSi®（具有富陷阱层的超平高阻片）和用于射频设备中硅上氮化镓应用的硅片（无富陷阱层）。样品装运订单的接收将在硅片产品发布后开始。有关销售信息和定制报价，请联系您的区域销售代表。