Katja Parkkinen在Incize射频研讨会上进行演讲

上周，Okmetic参加了Incize的射频研讨会，共同庆祝该公司成立10周年。鉴于Incize在半导体表征和建模领域的突出地位，此次活动吸引了大量射频领域的专业人士。

研讨会上，Okmetic的高级产品开发工程师Katja Parkkinen进行了题为“硅晶圆支持5G和6G技术”的演讲。Parkkinen女士全面概述了射频器件制造商在新的5G频段和更高频率中面临的挑战，并强调了工程高阻片在缓解硅片边缘、低插入损耗和宽带等问题方面的优势。

我们的工程高阻片和工程超高阻片凭借其双重特性，为射频器件提供了卓越的线性度和最小的损耗——高电阻率硅可减轻体电导率，而富陷阱层可降低表面电导率。详细了解Okmetic的RFSi®硅片如何提高射频器件的性能，并查看Incize进行的射频测量。