Okmetic推出了增强型SOI 硅片 (E-SOI)，丰富了SOI产品系列（绝缘体上硅）。由于其层厚均匀性和前所未有的特性，E-SOI是HV BCD器件、硅光子学和高精度硅基MEMS传感器等要求苛刻的应用的理想平台。
E-SOI硅片的器件层厚度可在1.0µm和>100µm之间自由调节，与目标厚度无关的厚度公差低至+/-0.1µm。凭借Okmetic自主的长晶工艺，我们拥有宽泛的硅材料可供选择。和Okmetic的BSOI硅片类似，E-SOI硅片的可定制性也非常高，其技术为半导体和传感器应用提供了理想的晶圆解决方案。
