Okmetic的首席技术官Haapalinna博士在Incize射频研讨会上发表演讲

上周，Okmetic非常荣幸地参加了Incize射频研讨会，和与会的射频领域顶尖的专业人士进行了深入了解。

Okmetic的首席技术官Atte Haapalinna博士做了题为“利用先进硅晶圆推进5G和6G发展”的演讲。他在演讲中探讨了优化的硅衬底如何在满足下一代射频和硅基氮化镓（GaN-on-Si）器件的性能需求方面发挥关键作用。

随着5G和6G的发展，我们对更低的损耗、更高的线性度、更宽的带宽、更高的频率以及全新的功率标准都有了更高的需求，衬底工程的作用变得前所未有的重要。Haapalinna博士重点介绍了Okmetic的工程高阻片如何降低衬底损耗、提高谐振器Q值并实现卓越的线性度，使其成为不断发展的射频架构的理想选择。他还探讨了硅基氮化镓（GaN-on-Si）面临的挑战，譬如晶格失配和热失配，以及优化的硅衬底如何增强氮化镓外延性能，并提升射频和功率应用器件的可靠性。

我们的工程高阻片和工程超高阻片将高体电阻率与富陷阱层完美结合，有效抑制了体电导率和表面电导率。这使得射频器件的损耗极低，线性度极佳。

详细了解Okmetic的功率氮化镓衬底硅片和射频氮化镓衬底硅片。