COP水平的控制提升了功率器件的可靠性和良率
技术进步和成本效益在功率半导体市场中变得愈发重要，对具有增强性能特征的高质量晶圆的需求正在上升。汽车、可再生能源、消费电子和制造业等行业正在推动这种需求，致使设备制造商努力减少缺陷、提高产量并优化整体设备性能，同时保持成本效益。
Okmetic拥有多年丰富的专业知识，能够有效减少影响功率器件击穿电压的晶体缺陷。我们的功率硅片经过精心设计，不会出现位错和滑移，我们同时还提供针对无外延功率IC器件的COP级管理。
最小化COP含量，增强GOI性能
Okmetic的低COP硅片专为解决晶体源粒子（COP）带来的挑战而设计，这些粒子会严重影响栅极氧化物完整性（GOI）的性能。通过尽量减少硅片表面附近的COP量，我们的低COP硅片能够提高产量并使用更薄的栅极氧化物。此外，通过将低COP选项与BMD优化相结合，功率器件制造商可以进一步提升GOI性能，以满足最苛刻的器件要求。
区熔法硅片更具经济效益的替代品
Okmetic的低COP硅片和SOI硅片是区熔法硅片更具经济效益的替代品，对于寻求简化生产流程和降低总拥有成本的功率器件制造商来说，是一种极具吸引力的选择。消除额外的、价格上涨的退火工艺进一步提高了这些硅片的成本效率。低COP硅片特别适合先进的非穿通型（NPT）/场截止型（FS）IGBT器件以及使用Okmetic电源管理SOI硅片的器件，譬如栅极驱动器和功率ASIC。
提供200mm的硅片和SOI硅片
低COP硅片采用我们标志性的先进磁拉法（A-MCz®，Czochralski）长晶工艺制造，经过优化后能够降低总体拥有成本，并消除传统COP退火工艺中通常存在的热应力诱导滑移线的风险。Okmetic的低COP功能适用于200mm功率分立器件硅片和电源管理SOI硅片，支持电阻率高于1欧姆-厘米的硼或磷掺杂。此外，Okmetic可灵活满足硅片的规格要求，并确保与各种功率半导体器件的兼容。
Okmetic通过优化工艺显著提高了其低COP硅片的产能。此外，计划于2025年初投入运营的硅片厂扩建将进一步提高Okmetic的低 COP硅片产能。详细了解Okmetic的低COP硅片和SOI硅片的更多信息。
