C-SOI® 20年发展历程——实现高性能MEMS器件的精益生产
2025年我们能够非常自豪地庆祝腔体型SOI（C-SOI®）晶圆生产二十周年，这一里程碑标志着MEMS技术的重大发展。该产品自2005年推出以来，Okmetic的C-SOI®硅片一直引领着MEMS和传感器技术的发展，满足了业界对精度、可靠性、集成度和成本效益日益增长的需求。
作为MEMS制造的一项基础技术，我们的C-SOI®晶圆能够精益生产流程、降低复杂性并提高生产效率。晶圆独特的结构能够实现更小的芯片尺寸并提高产品良率，从而直接降低成本并提升器件性能。
Okmetic的C-SOI®技术在过去几十年稳步发展，近年来推动了MEMS和传感器器件应用的急剧增长。我们的C-SOI®硅片广泛应用于各种MEMS应用，包括压力传感器、麦克风、惯性传感器和测量单元（IMU），具有极高的精度和准确度。产品还可以实现紧凑、高性能的光学设备、执行器、定时/谐振设备，非常适合射频开关和射频定时设备。
C-SOI®可实现高精度、经济高效且紧凑的MEMS器件设计
C-SOI®是一种键合腔体型绝缘体上硅片，内置密封腔体。这些腔体在底层硅片或埋氧层（BOX）上进行图案化和蚀刻，然后再进行键合和减薄顶部硅片（用作器件层）。
C-SOI®不仅仅是一种晶圆，其功能类似于一个半成品传感器，使其成为MEMS的理想平台。C-SOI®的多种优势包括：
- 集成腔体和设计灵活性：可定制的腔体可直接集成膜和传感器等可移动部件，从而实现复杂、多功能的设计。
- 精简制造和成本效率：C-SOI®晶圆减少了工艺步骤、提高了产品可靠性并降低了生产成本，从而加快了产品上市时间。
- 卓越的性能和精度：C-SOI®晶圆采用精密设计的腔体和分层结构，包括用于实现出色电气隔离的埋置氧化层，可提高设备性能和精度，使其成为高精度MEMS应用的理想选择。
- 提升可靠性和产量：所有C-SOI®的底层硅片均经过AVI检查以保证其质量，并通过扫描声学显微镜确认其键合质量。Okmetic在图案化和键合方面的专业知识以及上述质量检测都确保了我们客户设备的高产量和可靠性。
- 紧凑且高度集成的设计：C-SOI®支持单个晶圆上的多种功能，将芯片尺寸缩小了三分之二。
定制化C-SOI®解决方案推动MEMS创新
Okmetic凭借其在腔体型SOI技术方面的专业知识，为客户提供高度可定制化的晶圆产品，以满足每位客户在器件和工艺方面的特定要求。我们的解决方案涵盖双层器件层、图案化器件层、多晶硅填充TSV以及高度均匀的器件层等选项，确保复杂MEMS结构设计的精准高效。
EC-SOI硅片产品是我们最受欢迎的解决方案之一，它结合了E-SOI®硅片高度均匀的器件层厚度和C-SOI®硅片的嵌入式腔体结构等先进特性。这种创新型衬底为尖端MEMS器件开辟了全新的可能性。点击详细了解其在硅光子集成电路（PIC）和超声波换能器（譬如PMUT和CMUT）中的应用优势。
为了支持定制化解决方案，Okmetic拥有完全自主研发的腔体型SOI（C-SOI®）工艺，涵盖从晶体生长和晶圆切割到光刻、深反应离子蚀刻（DRIE）和键合的每个步骤。这种对整个工艺的管控确保了产品的最高质量和精度。作为定制选项的一部分，我们可以在C-SOI®硅片的正面或背面制作对准标记，以帮助客户将其工艺与Okmetic预制的腔体对准。
Okmetic凭借持续的研发和与客户的密切合作，致力于推进C-SOI®技术，满足不断发展的MEMS和传感器行业对高性能、定制化晶圆解决方案日益增长的需求。C-SOI®的征程才刚刚开始！
