硅上氮化镓应用的射频硅基氮化镓片

用于硅上氮化镓应用的Okmetic射频硅基氮化镓是一种定制硅片解决方案，其设计能够承受氮化镓（GaN）外延工艺的极端压力，同时还能够降低插入损耗。我们用于硅上氮化镓应用的射频硅基氮化镓将高达7000欧姆-厘米的高电阻和优化的氧含量水平以及其他硅片参数相结合，降低了硅片的弯曲和翘曲。这种组合为电阻的稳定性、晶格的完整性和耐用性提供了最佳平衡。  

用于硅上氮化镓应用的Okmetic射频硅基氮化镓经过了长期的硅参数优化，我们与多个业界单位密切合作，利用了所有目前被广泛使用的氮化镓生产工艺。Okmetic还为硅上氮化镓应用提供中低功率的硅片产品，多用于更传统的电源设备。

具有出色性能的耐用硅片

用于硅上氮化镓应用的Okmetic射频硅基氮化镓旨在促进氮化镓的高质量生长，并抵消射频氮化镓外延工艺所产生的极端应力。这些硅片的高电阻率使得插入损耗保持在较低的水平。当与硅片原位检测技术结合使用时，全硅片形状分析可以系统地完善沉积控制回路。

Okmetic的硅片产品拥有市场上最全的厚度选择（380微米至1150微米）和多种背面膜选项，这有助于硅上氮化镓射频基板的应力管理。在像氮化镓外延层这样的混合金属晶格中，较厚的硅片相较薄的硅片能够更好地抵消极端应力。

用于硅上氮化镓应用的Okmetic射频硅基氮化镓的晶向为<111>，该晶向和优化的氧含量有助于应对客户硅上氮化镓工艺中的压力。Okmetic深耕MEMS领域，能够极好地控制离向，这可以帮助客户准确且完美地获取氮化镓外延层沉积。

Okmetic的硅片在硅上氮化镓外观上表现出卓越的性能。在氮化镓的外延工艺中，我们监测并对硅片曲度进行控制。在氮化镓堆栈沉积工艺之后，Okmetic的硅片弯曲将再次接近初始阶段。该状态反应在左侧的几何映射图中，该图是在芬兰的阿尔托大学进行Okmetic硅基板加工成硅上氮化镓的过程中获取的。

用于硅上氮化镓应用的Okmetic射频硅基氮化镓的优势

• 为客户量身定制，符合氮化镓外延的严苛需求；
• 高电阻率：P-，高达7000欧姆-厘米的电阻率，合适的氧含量控制平衡电阻率稳定性和晶格完整性；
• 定向<111>具有精准的晶向控制，高阻区熔材料很难在<111>的晶向中制造；
• 定制的硅片厚度可减少硅片的弯曲和翘曲（6英寸和8英寸的硅片中厚度可高达1150微米）；
• 背面可选择LTO背封层结构，进一步控制应力；
• 如果需要，可提供双抛片。

用于硅上氮化镓应用的射频硅基氮化镓规格