CTO Haapalinna puhujana Incize RF Workshopissa

Viime viikolla Okmeticilla oli ilo osallistua Incizen järjestämään RF Workshop -tapahtumaan, joka kokoaa yhteen huippuasiantuntijoita RF-alalta.

Teknologiajohtajamme, tohtori Atte Haapalinna, osallistui keskusteluun pitämällä esityksen ”Advancing 5G and 6G with Advanced Silicon Wafers”. Puheessaan hän käsitteli sitä, kuinka optimoidut piikiekot ovat keskeisessä roolissa seuraavan sukupolven RF- ja GaN-on-Si-laitteiden suorituskykyvaatimusten täyttämisessä.

5G- ja 6G-teknologioiden myötä tarve pienemmille häviöille, paremmalle linearisuudelle, laajemmille kaistanleveyksille, korkeammille taajuuksille ja uusille tehovaatimuksille kasvaa jatkuvasti, mikä tekee piikiekkojen räätälöinnistä entistä tärkeämpää. Tohtori Haapalinna toi esiin, kuinka Okmeticin Engineered High Resistivity -piikiekot pienentävät piikiekoista johtuvia häviöitä, parantavat sovellusten Q-arvoa ja mahdollistavat erinomaisen linearisuuden, mikä tekee niistä ihanteellisia alustoja kehittyviin RF-sovelluksiin. Hän käsitteli myös GaN-on-Si-teknologian haasteita, ja miten optimoidut piikiekot voivat parantaa GaN-kasvatusta ja lisätä laitteiden luotettavuutta sekä RF- että tehopuolijohdesovelluksissa.

Engineered High Resistivity– ja Engineered Ultra High Resistivity -kiekkoissamme yhdistyy korkea resistiivisyys ja parasiittista johtavuutta vaimentava kerros. Tämä johtaa erittäin pieniin häviöihin ja erinomaiseen linearisuuteen RF-laitteissa.

Tutustu lisää myös Okmeticin Power GaN -alustakiekkoihin ja RF GaN -alustakiekkoihin.