RF GaN Substrate -kiekot GaN-on-Si-sovelluksiin

Okmeticin RF GaN Substrate –kiekot GaN-on-Si-sovelluksiin ovat suunniteltu kestämään galliumnitridikerroksen (GaN) kasvattamiseen liittyvää äärimmäistä rasitusta ja vähentämään RF-sovellusten kytkentähäviöitä. GaN-on-Si-sovelluksiin räätälöidyissä RF GaN Substrate –kiekoissamme yhdistyvät yli 7000 Ohm-cm resistiivisyys, optimoitu happipitoisuus ja muut kiekkojen taipumista ja vääntymistä vähentävät kiekkoparametrit. Tässä yhdistelmässä on otettu huomioon sekä vakaa resistiivisyys että piihilan mekaaninen kestävyys.  

RF GaN Substrate -kiekkomme GaN-on-Si-sovelluksiin ovat pitkän kehitystyön tulos. Okmetic on tehnyt piiominaisuuksien optimointia läheisessä yhteistyössä useiden alan toimijoiden kanssa yleisesti käytettyjä GaN-tuotantoprosesseja hyödyntäen. Okmetic valmistaa myös perinteisemmissä tehopuolijohdesovelluksissa käytettäviä medium- ja matalaresistiivisiä kiekkoja GaN-on-Si-sovelluksiin.  

Kestäviä kiekkoja erinomaisella suorituskyvyllä

RF GaN Substrate –kiekkomme GaN-on-Si-sovelluksiin ovat suunniteltu helpottamaan korkealaatuisen galliumnitridikerroksen (GaN) kasvattamista ja kestämään RF GaN epi –prosessin äärimmäiset rasitukset. Näiden kiekkojen korkearesistiivisyys auttaa pitämään RF-sovellusten kytkentähyviöt alhaisina. Kiekonmuotoanalyysi puolestaan mahdollistaa epitaksiaaliprosessin systemaattisen ohjauksen ja kehittämisen in-situ kiekkomonitoroinnin yhteydessä. 

Okmeticin laaja valikoima kiekkopaksuuksia 380 ja 1150 μm välillä sekä tarjolla olevat erilaiset taustakäsittelyvaihtoehdot auttavat RF-sovelluksiin suunnattuja GaN-on-Si-alustoja niihin kohdistuvan rasituksen hallinnassa. Paksumpien kiekkojen on havaittu kestävän äärimmäistä rasitusta ohuempia kiekkoja paremmin metalliseoshilojen kuten GaN epi -kerroksien valmistuksessa.

RF GaN Substrate –kiekot GaN-on-Si-sovelluksiin ovat saatavilla 111 orientaatiossa, mikä yhdessä optimoidun happipitoisuuden kanssa auttaa kiekkoja kestämään rasitusta asiakkaan GaN-on-Si-prosessissa. Okmetic on pitkän MEMS-taustansa ansiosta oppinut kontrolloimaan kallistettua orientaatiota erittäin hyvin, mikä auttaa asiakkaita tarkan GaN-epitaksiaalikerroksen kasvattamisessa.  

Okmeticin piikiekot ovat johdonmukaisesti osoittaneet korkeampaa suorituskykyä GaN-on-Si-epitaksiaalin kasvattamisessa. GaN-epitaksiaaliprosessin aikana kiekon kaartumista tarkkaillaan ja kontrolloidaan. Okmeticin kiekot palaavat GaN-prosessissa tapahtuvan kaartumisen jälkeen lähelle alkuperäistä tilaa. Tämä on nähtävissä Okmeticin kiekoille GaN-on-Si-prosessissa teetetyssä geometrisessä kuvauksessa Aalto Yliopiston toimesta.

RF GaN Substrate -kiekoilla GaN-on-Si-sovelluksiin on monia hyötyjä

• Räätälöity vastaamaan GaN epi-kasvatuksen vaativia tarpeita
• Korkearesistiivisyys: P-tyyppi ≥ 7000 Ohm-cm resistiivisyyteen asti sopivalla happikontrolloinnilla, tasapainotellen vakaan resistiivisyyden ja piihilan mekaanisen kestavyyden välillä.
• Orientaation <111> pinnan orientaatiotarkkuus. Kilpailevaa korkearesistiivistä  FZ-materiaalia on ylipäänsä erittäin vaikeata tehdä <111> orientaatiossa.
• Räätälöidyt kiekkojen paksuusvaihtoehdot kiekkojen taipumisen ja vääntymisen estämiseksi (150- 200 mm koossa 1150 µm saakka).
• LTO -mahdollisuus taustapinnalle rasituksen vähentämiseksi entisestään
• Saatavilla tarvittaessa myös kaksipuoleisesti kiillotetulla DSP-kiekolla.

RF GaN Substrate -kiekkojen spesifikaatiot for GaN-on-Si-sovelluksiin